CISES 演讲者
周志强
周志强毕业于华南理工大学电力电子硕士学位，在艾默生从事5 年开关电源设计。目前连续15年供职于意法半导体公司，担任大中华区技术市场部总监。
新型宽带隙材料技术及应用概述
现在的新型宽带隙 (WBG) 材料具有出色的特性，比如更高的击穿电压、开关频率和工作温度。 除了这些特点之外，与传统硅器件相比，碳化硅 MOSFET 还可确保更低的导通电阻和冷却要求以及更低的传导和开关损耗。
新型 WBG 材料超越了硅技术的限制，采用 这种新型材料制成的功率器件有助于提高工作频率、系统效率和功率密度，这对于电动汽车、发电/存储系统以及电机控制设计等应用来说至关重要。
本次演讲将着眼于 WBG 材料的主要特性和优势，并讨论它们的关键应用领域。 我还会介绍如何通过优化 SiC MOSFET 驱动器来获得更好的性能，并介绍 ST 的 SiC MOSFET 产品和电源技术组合。
意法半导体公司
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