王宸煜

王宸煜博士现担任应用材料半导体中国区事业部技术部高级总监，引领中国技术团队为众多国内客户提供先进技术支持, 包括foundry，DRAM, 3D NAND, CIS, 功率器件和新兴存储器等。

王宸煜博士于2002年加入应用材料中国有限公司，在近20年任职期间，在FEOL、外延、薄膜工艺以及逻辑和存储器件技术的材料工程解决方案方面积累了丰富的经验。

在加入应用材料中国有限公司之前，王宸煜先生于1999年至2001年期间在上海交通大学材料科学与工程系担任博士后研究员。

王宸煜先生于1996年和1999年分别获得吉林大学材料科学与工程系的硕士和博士学位，并发表30多篇技术论文。

从硅基，SiC，到GaN，功率器件谁将胜出

功率器件，硅基仍旧是市场的主流并正快速向300mm晶圆尺寸转移，但是碳化硅和氮化镓也正以宽带隙材料带来的优越的性能进入市场。在它们之间，关于技术成熟度，应用场合，成本和商业模式，人们有许多的讨论和比较。那么，在其后的5年，10年，会是怎样的发展情形？谁将最后胜出？