魏少军教授
清华大学
裴轶是北京大学毕业,获加州大学圣芭芭拉分校博士学位,现任苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁。裴轶博士是国家万人计划-科技创新领军人才,国际电子工程师协会(IEEE)高级会员,研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓模型等。他已经发表和共同发表110余篇期刊和会议论文,累计申请了150余项专利。
面向下一代移动通讯的氮化镓射频器件
GaN RF device is considered as the most promising candidate for 5G application and beyond. In this presentation, GaN technology is discussed in microwave and mm-wave applications. The key design and processing technologies of GaN HEMT are discussed to enhance the DC and RF performance. State-of-art RF GaN products are demonstrated to facilitate the next-gen telecom.
苏州能讯高能半导体有限公司创立于2011年,总部位于江苏苏州昆山高新区。公司率先在中国开展了宽禁带半导体氮化镓(GaN)功率半导体芯片、器件及模块的研发与商业化,为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域提供高效率的功率半导体产品及解决方案。
能讯拥有丰富的射频产品线,覆盖了电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用,形成了从氮化镓管芯、氮化镓分立功放管到氮化镓集成功放模块的系列化产品平台,满足客户多元化的应用场景需求。公司已具备6GHz以下7瓦至700瓦的功放管批量供货能力,且在业内率先推出适合5G基站使用的多芯片集成功放模块产品。
能讯通过自主研发构筑了完整的氮化镓功率芯片技术体系,包括:外延生长、器件结构、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面,拥有国内外氮化镓相关专利440余件。
中國國際半導體高峰會
2023.10.17-18
晶圆厂 / 封装测试厂 / 集成电路设计公司 / 终端用户
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